IGBT是绝缘栅双极型晶体管 。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 , 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点 。
【什么是igbt】静态特性:IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性 。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时 , 漏极电流与栅极电压之间的关系曲线 。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大 。它与GTR 的输出特性相似 。也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分 。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担 , 反向电压由J1结承担 。如果无N+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后 , 反向关断电压只能达到几十伏水平 , 因此限制了IGBT 的某些应用范围 。
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